作為與“德國(guó)工業(yè)4.0”的對(duì)標(biāo)，《中國(guó)制造2025》對(duì)我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和跨越發(fā)展作了整體部署，提出了我國(guó)制造業(yè)由大變強(qiáng)“三步走”戰(zhàn)略目標(biāo)，明確了建設(shè)制造強(qiáng)國(guó)的戰(zhàn)略任務(wù)和重點(diǎn)，是我國(guó)實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略的第一個(gè)十年行動(dòng)綱領(lǐng)。

 

為了確保用十年的時(shí)間，到2025年，邁入制造強(qiáng)國(guó)行列，必須堅(jiān)持整體推進(jìn)、重點(diǎn)突破。《中國(guó)制造2025》圍繞經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)家安全重大需求，選擇10大優(yōu)勢(shì)和戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)作為突破點(diǎn)，力爭(zhēng)到2025年達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先地位或國(guó)際先進(jìn)水平。十大重點(diǎn)領(lǐng)域是：新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高檔數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人、航空航天裝備、海洋工程裝備及高技術(shù)船舶、先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電力裝備、農(nóng)業(yè)裝備、新材料、生物醫(yī)藥及高性能醫(yī)療器械。

 

為指明十大重點(diǎn)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)、發(fā)展重點(diǎn)，引導(dǎo)企業(yè)的創(chuàng)新活動(dòng)，國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)特組織編制了這些領(lǐng)域的技術(shù)路線圖，匯總成冊(cè)，稱為“《中國(guó)制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖”。

 

電力電子作為現(xiàn)代能源變換的核心部件和關(guān)鍵技術(shù)，在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、節(jié)能與新能源、國(guó)防安全以及國(guó)計(jì)民生各個(gè)方面均發(fā)揮著不可替代的作用。因此在《中國(guó)制造2025》中，電力電子也被正式作為發(fā)展重點(diǎn)。在最近發(fā)布的“《中國(guó)制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖”中，電力電子的內(nèi)容主要體現(xiàn)在以下章節(jié)：

 

五、先進(jìn)軌道交通裝備

 

5.1先進(jìn)軌道交通裝備

 

5.1.3發(fā)展重點(diǎn)

 

2.關(guān)鍵零部件

 

（1）功率半導(dǎo)體器件。重點(diǎn)突破硅基IGBT、MOSFET等先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件芯片的技術(shù)瓶頸，推進(jìn)國(guó)產(chǎn)硅基器件的應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；推進(jìn)碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等下一代功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

 

（2）動(dòng)力型超級(jí)電容器件。研制12000F、3.0V、10Wh/kg、100萬(wàn)次充放的大功率、高能量、長(zhǎng)壽命、高安全、免維護(hù)超級(jí)電容單元器件，推進(jìn)城市公共交通儲(chǔ)能式電力牽引技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

 

3. 關(guān)鍵共性技術(shù)

 

（3）電傳動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)。完成碳化硅電力電子器件的研發(fā)與應(yīng)用，推進(jìn)饋能式雙向變流技術(shù)的應(yīng)用；推廣永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)與無齒輪直驅(qū)技術(shù)。

 

（4）儲(chǔ)能與節(jié)能技術(shù)。加快大能量密度的超級(jí)電容的研制，利用超級(jí)電容優(yōu)異的充放電性能，實(shí)現(xiàn)有軌電車、無軌電車全線無供電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)和能量可循環(huán)利用運(yùn)營(yíng)。

 

九、 新材料

 

9.2 關(guān)鍵戰(zhàn)略材料

 

9.2.3 發(fā)展重點(diǎn)

 

8.先進(jìn)半導(dǎo)體材料

 

（1）第三代半導(dǎo)體單晶襯底

 

6-8英寸SiC、4-6英寸GaN、2-3英寸AlN單晶襯底制備技術(shù)；可生產(chǎn)大尺寸、高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體單晶襯底的國(guó)產(chǎn)化裝備。

 

（2）第三代半導(dǎo)體光電子器件、模塊及應(yīng)用

 

200 lm/W以上光效的LED外延和芯片制備技術(shù)；50mW以上AlGaN基紫外LED。

 

（3）第三代半導(dǎo)體電力電子器件、模塊及應(yīng)用

 

15kV以上SiC電力電子器件制備關(guān)鍵技術(shù)；高質(zhì)量、低成本GaN電力電子器件的設(shè)計(jì)與制備；在高壓電網(wǎng)、高速軌道交通、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、新能源汽車、新一代通用電源等領(lǐng)域的應(yīng)用。

 

我們欣喜地看到，電力電子在事關(guān)國(guó)家戰(zhàn)略的綱領(lǐng)性文件中被明確作為發(fā)展重點(diǎn)，這與近些年來業(yè)界專家積極建言獻(xiàn)策以及電力電子產(chǎn)業(yè)取得長(zhǎng)足發(fā)展密不可分。但同時(shí)，我們也應(yīng)該清醒地認(rèn)識(shí)到：相較于集成電路，電力電子在文件中份量仍很輕。在“一、新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”一章中， “1.1集成電路及專用設(shè)備”是作為專門的一節(jié)重點(diǎn)闡述的，而電力電子的內(nèi)容卻分散于幾個(gè)章節(jié)，沒有給予系統(tǒng)支持。

 

在11月6日于重慶召開的“中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)2015 年年會(huì)暨七屆二次理事會(huì)議”上，分會(huì)常務(wù)副理事長(zhǎng)、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)、中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)肖向鋒先生表示：“電力電子的內(nèi)容分散于文件的好幾個(gè)章節(jié)，看似哪兒都需要電力電子，但實(shí)際上沒有像集成電路那樣得到系統(tǒng)支持，這不利于形成合力。同時(shí)，支持的重點(diǎn)在軌道交通領(lǐng)域用的IGBT、MOSFET等電力電子器件，只是整個(gè)產(chǎn)業(yè)非常小的一部分，不到5%。”

 

不過，肖秘書長(zhǎng)也認(rèn)為，電力電子被納入《中國(guó)制造2025》發(fā)展重點(diǎn)是很好的機(jī)遇，況且在重點(diǎn)發(fā)展的十大領(lǐng)域中大多數(shù)也需要電力電子，因此，業(yè)界同仁應(yīng)抓住機(jī)遇，堅(jiān)持“以人為本、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、轉(zhuǎn)型升級(jí)、以質(zhì)取勝、綠色發(fā)展”的思路，共同將電力電子產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)，為實(shí)現(xiàn)“中國(guó)制造2025”的戰(zhàn)略目標(biāo)貢獻(xiàn)自己的一份力量。

 

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司首席執(zhí)行官沈華博士也認(rèn)為，國(guó)家政策支持對(duì)于電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常重要，但同時(shí)“打鐵還需自身硬”，電力電子企業(yè)要練好內(nèi)功，才能適應(yīng)市場(chǎng)的發(fā)展。斯達(dá)半導(dǎo)體將繼續(xù)加大研發(fā)投入在國(guó)家重點(diǎn)支持的技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，同時(shí)更為重要的是將已有產(chǎn)品做到極致，滿足客戶更高需求，為客戶創(chuàng)造更大價(jià)值。比如，要將用于電動(dòng)車的600V IGBT模塊做好，并不比做4500V軌道交通用IGBT容易。因?yàn)殡妷弘m不大，但芯片非常薄，工藝要求實(shí)際上非常高。